dc.contributor.author | Kalomiros, John | |
dc.contributor.author | Katsikini, Maria | |
dc.contributor.author | Paloura, Eleni | |
dc.contributor.author | Bressler, Patrick | |
dc.contributor.author | Moustakas, T. N. | |
dc.date.accessioned | 2015-01-31T20:10:05Z | |
dc.date.available | 2015-01-31T20:10:05Z | |
dc.date.issued | 1996 | |
dc.identifier.uri | http://apothesis.teicm.gr/xmlui/handle/123456789/74 | |
dc.description.abstract | Επιταξιακά υμένια κυβικού και εξαγωνικού GaN, μελετώνται με χρήση φασμάτων απορρόφησης ακτίνων Χ, στην περιοχή της ακμής (ΝEXAFS), μετρημένων υπό διάφορες γωνίες. Στην περίπτωση του κυβικού GaN οι εντάσεις των γραμμών συντονισμού είναι ανεξάρτητες από τη γωνία πρόσπτωσης, ενώ στην περίπτωση του εξαγωνικού GaN εμφανίζεται μια εξάρτηση της μορφής cos2θ. Προτείνεται ότι τα φάσματα NEXAFS μπορούν να χρησιμοποιηθούν για την ταυτοποίηση της συμμετρίας των υπο εξέταση κρυστάλλων. | el |
dc.language.iso | en | el |
dc.rights | Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 Διεθνές | * |
dc.rights.uri | http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/ | * |
dc.title | Angular dependence of the NEXAFS structure in hexagonal and cubic GaN | en |
dc.type | Άρθρο σε επιστημονικό συνέδριο | el |
dc.conference.information | Berlin, World Scientific Vol. l, p. 573, 1996 | el |
dc.conference.name | 23rd International Conference on the Physics of Semiconductors (ICPS) | el |
dc.publication.category | Αντίγραφο του συγγραφέα (Author's copy) | el |
dc.subject.keyword | NEXAFS | el |
dc.subject.keyword | GaN | el |
dc.subject.keyword | thin films | el |
Οι παρακάτω άδειες σχετίζονται με αυτό το τεκμήριο: